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静电流对耳机插座和人体的危害


耳机插座按其品种差别,受静电毁坏的水平也纷歧样,最低的100V的静电压也会对其形成毁坏。比年来随着电子元器件开展趋于集成化,因而要求相应的静电电压也在不时低落。
人体所感到的静电电压普通在2-4KV以上,通常是由于人体的细微举措或与绝缘物的磨擦而惹起的。也便是说,假使我们一样平常生存中所带的静电电位与IC打仗,那么简直一切的IC都将被毁坏,这种风险存在于任何没有接纳静电防护步伐的任务情况中。静电对IC的毁坏不只表现在电子元器件的制造工序当中,并且在IC的组装、运输等进程中都市对IC发生毁坏。
信号源耦合到被测电路上的信号幅度在婚配和非婚配形态下是差别的,耳机插座的输入幅度普通要么是空载输入的幅度,要么是婚配输入的幅度,这可经过仪器运用阐明或经过实测来确定。假如被测电路的输出阻抗不是比信号源输入阻抗大得多,也不与信号源的输入阻抗相婚配,则不行以经过信号源的面板指示来确定耦合到被测电路上的信号幅度,而要经过实测确定。
 
在相反范例的耳机插座中,任务频率越高,任务电流越大,开关工夫越短,或许额外电源电压越高,则抗辐射才能越强。比方,用相反工艺和资料制造的微处置器电路,要求10V电源的电路比要求5V电源的电路抗辐射才能强,由于10V电源有3V的噪声容限,而5V电源只要1.5V的噪声容限。

在差别范例的耳机插座中,半导体二极管的抗辐射才能优于晶体管三极管,结型场效应管的抗辐射才能优于双极晶体管,由分立器件组成的电路的抗电离辐射才能优于完成相反功用的单片集成电路,数字集成电路的抗中子辐射才能模仿集成电路。

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